当前位置:首页>行业资讯>展会资讯>资讯内容

Vishay 新款 25V N 沟道功率 MOSFET 有效提升电源效率和功率密度

发布日期:2017-11-27 来源: 世纪电源网 查看次数: 107 作者:本站

核心提示:器件在 10V 下的最大导通电阻为 0.58mΩ,栅极电荷为 61nC,采用小尺寸 PowerPAK® SO-8 单片封装宾夕法尼亚、MALVERN 2017年11月27日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的 25V N 沟道 TrenchFET® Gen IV 功率 MOSFET---SiRA20

  器件在 10V 下的最大导通电阻为 0.58mΩ,栅极电荷为 61nC,采用小尺寸 PowerPAK® SO-8 单片封装

  宾夕法尼亚、MALVERN 2017年11月27日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的 25V N 沟道 TrenchFET® Gen IV 功率 MOSFET---SiRA20DP,这颗器件在 10V 的最大导通电阻为业内最低,仅有 0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP 具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到 0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。

  今天发布的 MOSFET 采用 6mm x 5mm PowerPAK®SO-8 封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗 25V MOSFET 之一。与同类器件相比,SiRA20DP 的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM 为 0.035Ω*nC,低32%。其他 25V N 沟道 MOSFET 的导通电阻则要高11%甚至更多。

  SiRA20DP 的低导通电阻可减小传导功率损耗,提高系统效率,实现更高的功率密度,特别适合冗余电源架构中的 OR-ring 功能。器件的 FOM 较低,可提高开关性能,如通信和服务器电源中 DC/DC 转换,电池系统中的电池切换,以及 5V 到 12V 输入电源的负载切换。

  这颗 MOSFET 经过了100%的 RG 和 UIS 测试,符合 RoHS,无卤素。

  SiRA20DP 现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十五周。

网友评论

共有0条评论
马上注册
鲁公网安备 37030402000457号
在线客服系统